Studies of radiation hardness of MOS devices for application in a linear collider vertex detector [Elektronische Ressource] / Qingyu Wei

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2008

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01 janvier 2008

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Technische Universität München Halbleiterlabor des Max-Planck-Institut für Physik und für extraterrestrische Physik München Studies of Radiation Hardness of MOS Devices for Application in a Linear Collider Vertex Detector Qingyu Wei Vollständiger Abdruck der von der Fakultät für Physik der Technischen Universität München zur Erlangung des akademischen Grades eines Doktors der Naturwissenschaften genehmigten Dissertation. Vorsitzender: Univ.-Prof. Andrzej Jerzy Buras Prüfer der Dissertation: 1. Hon.-Prof. Dr. Siegfried Bethke 2. Univ.-Prof. Dr. Stephan Paul Die Dissertation wurde am 30.07.2008 bei der Technischen Universität München eingereicht und durch die Fakultät für Physik am 17.10.2008 angenommen. 1 2 Contents Abstract……………………………………………………………………………………5 Kurzfassung……………………………………………………………………………….6 Introduction………………………………………………………………………………..7 1. Motivation……………………………………………………………………………..9 1.1. The standard model……………………………………………………………….9 1.2. ILC project………………………………………………………………………11 1.2.1. Linear collider……………………………………………………………13 1.2.2. Detector concept for the international linear collider……………………16 1.2.3. DEPFET-based vertex detector for the ILC experiment…………………19 1.3. Irradiation tolerance……………………………………………………………..26 1.4. Silicon detectors…………………………………………………………………27 2. MOS-Structures………………………………………….…………………………..31 2.1.

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