Contribution à l'étude de procédés de réalisation de structures métal PZT métal sur silicium pour

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Chapitre III – Techniques de caractérisation, de dépôt et de recuit des films de PZT Chapitre III Techniques de caractérisation, de dépôt et de recuit des films minces de PZT Résumé : Ce chapitre présente les principales techniques de caractérisation utilisées au cours de cette étude, ainsi que les techniques de dépôt les mieux adaptées pour les films minces de PZT sur substrat de silicium. Une attention toute particulière est portée à la pulvérisation cathodique et aux modifications qu'il nous a été nécessaire d'apporter à un bâti classique que nous avons ensuite utilisé pour nos dépôts. Ainsi modifié, nous avons pu jouer sur la composition chimique du gaz de plasma : nous avons pu passer d'un gaz 100% argon à un mélange 90% argon et 10% oxygène. Le dernier paragraphe présente les techniques de recuit classique et rapide. Chapitre III – Techniques de caractérisation, de dépôt et de recuit des films de PZT III.1. Introduction Nous avons introduit à la fin du chapitre I et montré au chapitre II certaines raisons qui motivent l'intégration des films de PZT en couches minces dans la microélectronique. Rendre les procédés de dépôt compatibles avec les techniques actuelles de la microélectronique, autrement dit, utiliser les appareils déjà présents dans les chaînes de production industrielle, devient capital pour la fabrication des microsystèmes. De plus, ces dépôts en couches minces doivent aussi être compatibles du point ...

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