Modeling and characterization of polycrystalline silicon for solar cells and microelectronics [Elektronische Ressource] / vorgelegt von Kurt R. Taretto

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01 janvier 2003

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Deutsch

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Modeling and characterization of polycrystalline silicon for solar cells and microelectronics Von der Fakultät Informatik, Elektrotechnik und Informationstechnik der Universität Stuttgart zur Erlangung der Würde eines Doktor-Ingenieurs (Dr.-Ing.) genehmigte Abhandlung vorgelegt von Kurt R. Taretto geboren in Buenos Aires Hauptberichter: Prof. Dr. rer. nat. habil. Jürgen H. Werner Mitberichter: Prof. Dr. phil. Erich Kasper Tag der Einreichung: 1. Oktober 2002 Tag der mündlichen Prüfung: 3. Februar 2003 Institut für Physikalische Elektronik - Universität Stuttgart 2003 Contents Abstract................................................................................................................a Zusammenfassung................................................................................................i 1 Introduction..................................................................................................1 2 Fundamentals ..............................................................................................6 2.1 Charge transport in semiconductors....................................................6 2.2 Generation and recombination.............................................................9 2.2.1 Generation rate...............................................................................10 2.2.2 Recombination rate.........................................................................10 2.2.

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