Développement de briques technologiques pour la réalisation de diodes schottky sur nitrure de gallium, Development of technological bricks for the achievement of gallium nitride based Schottky diodes

UNIVERSITÉ FRANÇOIS - RABELAIS
DE TOURS


ÉCOLE DOCTORALE SST
Laboratoire de Microélectronique de Puissance

THÈSE présentée par :
Olivier MENARD

soutenue le : 25 Novembre 2010


pour obtenir le grade de : Docteur de l’université François - Rabelais
Discipline/ Spécialité : ELECTRONIQUE

DEVELOPPEMENT DE BRIQUES
TECHNOLOGIQUES POUR LA
REALISATION DE DIODES SCHOTTKY
SUR NITRURE DE GALLIUM

THÈSE dirigée par :
ALQUIER Daniel Professeur, université François - Rabelais (Tours)

RAPPORTEURS :
CORDIER Yvon Directeur de Recherche, CNRS (Valbonne)
MORANCHO Frédéric Professeur, université Paul Sabatier (Toulouse 3)


JURY :
ALQUIER Daniel Professeur, université François - Rabelais (Tours)
BRYLINSKI Christian Professeur, univClaude - Bernard (Lyon 1)
CAYREL Frédéric Maître de conférences, université François - Rabelais (Tours)
COLLARD Emmanuel Docteur, STMicroelectronics
CORDIER Yvon Directeur de Recherche, CNRS (Valbonne)
MORANCHO Frédéric Professeur, université Paul Sabatier (Toulouse 3)
PLANSON Dominique Professeur, INSA de Lyon
ROCCAFORTE Fabrizio Chercheur, CNR-IMM Catane Italie


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Résumé
Le marché des diodes Schottky de puissance est en plein essor depuis ces dernières années.
Les demandes en termes de performances sont toujours réévaluées et les composants en
silicium montrent leurs limites. Le nitrure de gallium (GaN), en raison de ses propriétés
électriques, semble être un bon candidat pour réaliser des diodes Schottky capable de tenir
des tensions élevées supérieures à 600V en inverse. En effet, le GaN est un semi-conducteur
à large bande interdite (3,43eV à 300K) et il possède un champ critique très élevé (plus de 10
fois supérieur à celui silicium), ce qui permet d’envisager la réalisation de diodes avec une
tension de claquage élevée. La croissance de ce matériau reste difficile et onéreuse et
pousse les laboratoires ainsi que les industriels à s’orienter vers du GaN épitaxié sur
substrats bas coût comme le silicium. La qualité des couches fabriquées permet aujourd’hui
d’envisager la réalisation de composants de puissance comme la diode Schottky.
Dans ce travail, nous avons étudié deux briques technologiques entrant dans la réalisation
d’une diode Schottky. Tout d’abord, nous avons réalisé des contacts ohmiques en titane-
aluminium. Nous avons observé le comportement de ces contacts pour différentes
conditions de réalisations comme le traitement de la surface, l’épaisseur des métaux ou les
conditions du recuit du contact. Cette étude nous a permis de réaliser des contacts avec une
-5 2excellente résistance spécifique de contact de l’ordre de 1x10 Ω.cm pour un contact TiAl
(70/200nm) sur GaN de type n fortement dopé (in-situ) recuit à 650°C pendant 3min sous
argon. Des études complémentaires ont également montré la faisabilité d’un tel contact sur
du GaN de type n+, dopé localement par implantation ionique de silicium, ainsi que sur une
couche résiduelle de GaN de type n fortement dopée mise à jour après gravure sèche. Enfin,
une étude sur substrat silicium a également montré un bon comportement ohmique, ce qui
est plutôt encourageant pour envisager la réalisation de diodes sur ce type de substrat.
Nous avons, ensuite, réalisé des contacts Schottky en nickel sur du GaN de type n faiblement
dopé. Une première étude sur une structure simple (Schottky To Schottky) nous a permis de
trouver un ensemble de paramètres de fabrication en s’attachant à l’étude du courant de

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fuite et en s’affranchissant de la réalisation d’un dispositif complet. En effet, de faibles
courants de fuite ont été observés pour un contact Ni de 300nm d’épaisseur recuit à 450°C-
500°C pendant 3min sous Ar. Ces résultats nous ont permis de réaliser des premières diodes
latérales simples avec des hauteurs de barrière de l’ordre de 0,86eV pour des facteurs
d’idéalité autour de 1,13. Enfin, des démonstrateurs de diodes Schottky pseudo-verticales
optimisées ont été construits et, grâce à l’utilisation de plaques de champ (« Field Plate ») et
d’un anneau de garde résistif, des valeurs de hauteurs de barrière supérieures à 1eV, pour
des facteurs d’idéalité de 1,12, ont été mesurées avec, pour certaines diodes, une tension de
claquage en inverse supérieure à 600V. Ces résultats montrent clairement la possibilité de
réaliser à l’heure actuelle des diodes performantes sur GaN
Mots clés : GaN, contact ohmique, TLM, résistance spécifique de contact, contact Schottky,
hauteur de barrière, facteur d’idéalité, diode, grand gap.

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Abstract
Power Schottky diode market is constantly increasing since the last years. Needs in terms of
electrical performances are always reassessed and so on silicon devices seem to be limited.
Due to its electrical properties, gallium nitride seems to be an interesting choice to carry out
high voltage Schottky diodes. GaN is a wide band gap semiconductor (3,43eV at 300K) and
its critical field is about 10 times higher than in silicon, though one can consider high
breakdown voltage diodes fabrication. Nevertheless, growth of GaN is quite difficult and
expensive. That’s the reason why manufacturers and researchers have focused their
attention on low-cost substrates, like silicon for GaN epitaxy. The quality of epitaxial layers
obtained from recent works is good enough to consider power devices development, like the
Schottky diodes.
In this work, we have studied two essential technological bricks that take place into a
Schottky diode achievement. We have first carried out titanium-aluminum ohmic contacts.
The ohmic behavior was observed for different conditions like surface treatment, metal
thickness or annealing conditions. These contacts exhibited specific contact resistance of
-5 2about 1x10 Ω.cm for a metal bi-layer, made of Ti(70nm) and Al(200nm) on in-situ highly
doped n-type GaN, and annealed at 650°C during 3min under argon. Additional studies also
show that such contacts could be carried out on Si ion implanted low doped n-type GaN, and
also on dry-etch residual in-situ highly doped GaN surface. Another study made on GaN on
silicon substrate also has shown a good ohmic behavior, which is encouraging to consider
diode achievement on this kind of substrate.
Then, we have made Ni based Schottky contacts on low-doped n-GaN. A first study on a
simple structure (Schottky To Schottky) has lead to the choice of a set of process parameters
in order to carry out Schottky diodes. Low leakage currents have been observed on these
structures for a 300nm thick Ni contact, annealed at 450°C-500°C during 3min under argon.
From these results, simple planar diodes have been made and barrier heights of 0,86eV and
ideality factors around 1.13 have been found. Finally, advanced mesa Schottky diodes have

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been carried out using field plate metal edge termination and resistive unannealed guard-
ring. On theses diodes, barrier heights greater than 1eV have been found with ideality
factors of 1.12 with, for a few diodes, a reverse breakdown voltage higher than 600V.
Keywords: GaN, ohmic contact, TLM, specific contact resistance, Schottky contact, barrier
height, ideality factor, diode, wide band gap



- 6 - Table des matières
Résumé .................................................................................................................................. - 3 -
Abstract . - 5 -
Introduction générale ........................................................................................................... - 19 -
I Chapitre 1 : Le nitrure de gallium : propriétés, élaboration et applications. ............... - 23 -
I.1 Propriétés du nitrure de gallium .......... - 23 -
I.1.1 Structure cristalline ......................................................................................... - 23 -
I.1.2 Propriétés du nitrure de gallium ...................................... - 25 -
I.1.2.1 Propriétés électriques .............................................. - 25 -
I.1.2.2 Propriétés physico chimiques .. - 30 -
I.2 Techniques de croissance et élaboration du GaN ................................................ - 33 -
I.2.1 Cristallogenèse du GaN ................................................... - 33 -
I.2.2 Epitaxie du GaN .............................................................. - 34 -
I.2.2.1 Substrats pour la croissance du GaN ....................... - 34 -
I.2.2.